(NH4)2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究

摘要

通过(NH4)2S湿法硫化InGaAs表面,利用微波反射光电导衰减法测量了经(NH4)2S硫化后的少数载流子寿命.结果显示,经过硫化处理后的InGaAs表面复合速度接近于理想的InP/InGaAs双异质结材料的界面复合速度.为了更好地表征钝化效果,在硫化后的InGaAs表面淀积SiNx制备了MIS结构,通过高低频C-V测试得出两者的界面态密度为8.5×1010 cm-2·eV-1.