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白云; 邵秀梅; 张燕; 李向阳; 龚海梅;
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;
AlGaN; P-I-N; 电子辐照; MIS结构;
机译:AlGaN / AlN / GaN,AlGaN / GaN和InAlN / GaN异质结中中子辐照效应的比较
机译:AlGaN / GaN异质结构二维电子气中的中子辐照效应
机译:HENTS IONS对ALGAN / GAN高电子迁移率晶体管的辐照效应
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:可调谐高效谐振隧穿GaN / alGaN mQW紫外探测器
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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