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新型大面阵碲镉汞探测器In柱生长工艺研究

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介绍了新一代大面阵碲镉汞器件互连工艺中在碲镉汞器件芯片上的In柱生长技术,分析并试验了各种工艺手段的不同效果,最终选择了较为优化的In柱生长工艺条件.

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来源
《激光与红外》 |2008年第8期|781-783|共3页
作者
张鹏; 李震; 赵凯;
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作者单位

华北光电技术研究所,北京100015;

华北光电技术研究所,北京100015;

华北光电技术研究所,北京100015;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.05;
关键词
铟柱; 溅射; 热蒸发; 碲镉汞;

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