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反应离子刻蚀InSb芯片引入的损伤研究

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摘要

应用CH4/H2/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析.实验证实利用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的方法能有效地减少刻蚀引入的缺陷和损伤,获得较好的电学特性,达到低损伤刻蚀InSb材料的目的.

著录项

来源
《激光与红外》 |2010年第6期|622-624|共3页
作者
温涛; 张影; 肖钰; 赵建忠;
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作者单位

华北光电技术研究所,北京,100015;

华北光电技术研究所,北京,100015;

华北光电技术研究所,北京,100015;

华北光电技术研究所,北京,100015;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学器件;
关键词
反应离子刻蚀; InSb; 刻蚀损伤; I-V曲线;

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