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延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究

         

摘要

通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104 rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小.在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有下降,噪声基本不变,说明在受到辐照后器件的探测性能略有下降.对器件在辐照前后的低频噪声进行了测试,发现整个低频区的噪声都没有明显的改变.这些结论表明γ辐照对延伸波长InGaAs器件的影响较小.

著录项

  • 来源
    《激光与红外》 |2010年第5期|511-514|共4页
  • 作者单位

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 红外探测、红外探测器;
  • 关键词

    红外探测器; InGaAs; γ辐照;

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