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激活退火对As掺杂型HgCdTe材料的影响

         

摘要

研究了激活退火热处理过程对As掺杂碲镉汞外延材料组分的影响,实验包括不同的热处理条件以及不同厚度外延材料,并用红外透射光谱测量了退火前后材料组分的变化.实验结果表明,在相同温度和相同时间的热处理条件下,外延层的厚度越厚,热处理对材料组分的影响越小;在相同温度不同时间的热处理过程中,随着时间增加,材料的组分变化也随之增加,并且,外延层越厚,组分的变化量也越小.

著录项

  • 来源
    《激光与红外》 |2010年第5期|506-510|共5页
  • 作者单位

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 红外光学材料;
  • 关键词

    碲镉汞; As掺杂; 激活退火;

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