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张可锋; 吴小利; 唐恒敬; 乔辉; 贾嘉; 李雪; 龚海梅;
中国科学院上海技术物理研究所;
LBIC技术; InGaAs; 探测器; 光敏感区;
机译:以InGaAs / GaAsP应变补偿层为基础材料的基于GaAs的异质结双极晶体管的器件特性
机译:扩展C-V掺杂轮廓技术以研究合金结的运动和衬底的向外扩散,结的分离以及器件面积的修整
机译:电荷转移状态对小分子有机光伏器件开路电压的影响:使用电致发光特性比较平面和体异质结
机译:利用凸起的源/漏扩展结构和碳共注入技术,超大规模结近尺度有限体积平面CMOS超结设计
机译:研究本征薄膜器件异质结的电子特性和纳米晶锗锗器件的缺陷密度分布。
机译:胸腔镜解剖节段切除术中如何利用滑动结技术用切段膨胀法划定段间平面
机译:固有薄膜器件异质结的电子特性和纳米晶锗锗器件的缺陷密度分布研究
机译:利用结器件研究半导体中子损伤最终报告
机译:利用亚微米区的边缘结制造弱结型约瑟夫森器件的方法
机译:利用缺陷工程和激光退火技术形成浅结区的方法
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