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傅祥良; 王伟强; 于梅芳; 乔怡敏; 魏青竹; 吴俊; 陈路; 巫艳; 何力;
中国科学院上海技术物理研究所;
HgCdTe; 表面缺陷; 分子束外延;
机译:MBE生长的HgCdTe的成分控制和表面缺陷
机译:MBE HGCDTE / CDZNTE中的杂质“热点”
机译:通过分子束外延(MBE)生长的HgCdTe的砷p掺杂:已解决的问题?
机译:MBE生长的HgCdTe中杂质引起的表面缺陷
机译:hgcdte mbe缺陷概述和缺陷大小分析。
机译:HgCdTe三元化合物的离子束纳米结构
机译:新型氧原子束源适合氧化物层MBE
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的mBE(分子束外延)生长表征和电子器件加工:季度报告,1987年6月15日
机译:分子束外延(MBE)HgCdTe生长的基质
机译:分子束外延(MBE)HGCDTE生长的基板
机译:分子束外延(MBE)HGCDTE生长的基质
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