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窄禁带半导体的光电跃迁效应

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光电跃迁效应是窄禁带半导体红外探测器的基本物理过程.本文主要论述窄禁带半导体碲镉汞的带间光吸收跃迁的理论和实验.文中阐述了带间光吸收效应的基本规律的发现及其科学意义,介绍了这些规律在碲镉汞红外探测器材料器件设计中的应用,以及它在解释近年来发现的HgCdTe光电二极管电致负荧光现象方面的应用.

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来源
《激光与红外》 |2006年第z1期|759-765|共7页
作者
褚君浩;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所;

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正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
光电跃迁; 窄禁带半导体; 碲镉汞; 红外探测器;

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