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林炳; 孙剑; 张阔; 王春; 武淑明; 朱震;
华北光电技术研究所;
光学薄膜; 红外增透膜; 硒化锌(ZnSe); 膜层物理性能;
机译:激光诱导的锗,硅和硒化锌中自由载流子在10.6μm处的时间分辨反射率和透射率测量
机译:激光诱导的锗,硅和硒化锌中的自由载流子在10.6μm处的时间分辨反射率和透射率测量
机译:用于超短脉冲光纤激光生成C波段区域的硒化锌饱和吸收器
机译:锌氧化锌(ZnS)单量子孔,硒化锌(ZnSe)和锌碲化锌(ZnTe)单量子阱中的二维迁移率:比较研究
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:比较暴露于硒化镉/硫化锌和磷化铟/硫化锌的酿酒酵母细胞转录组谱
机译:在非取向基底上获得的硒化锌薄膜的亚结构特征
机译:波长为0.6328,3.39和10.6千米的透射率的Raytran硒化锌的散射测量
机译:具有从硫化镉,硒化镉,硫化锌,锌锌硒化物或zinkoxyd的本征基体晶体的电halbleiteranordnung
机译:具有本征晶体为硫化镉,硒化镉,硫化锌,硒化锌或氧化锌的电半导体器件
机译:使用化学浴沉积工艺合成硒化锌铟,znin2Se4(zis)和硒化锌铟羟基,Znin2(OH,Se)4(ZIHS)层
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