超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性

摘要

为了满足高性能的红外探测要求，以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管．利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点，采用超高真空化学气相沉积（UHV-CVD）技术，550℃下，在硅光刻窗口处，选择性生长了锗硅外延层．由此技术生长的锗硅材料制作了硅基肖特基二极管原型器件，并研究了该二极管器件的电流一电压特性曲线．结果表明，与传统方法制备的非选择性外延锗硅肖特基二极管相比，该二极管器件可以避免在确定有源区后再经受高温处理，简化了器件制作工艺，该二极管反向漏电流低2～3个数量级，具有优良的器件电学特性．