纳秒脉冲激光诱导的硅离子发射与激光能量密度的关系

摘要

用高分辨质量选择的飞行时间谱技术研究所在１９３ｎｍ脉冲激光辐照下自Ｓｉ（１００）表面上硅离子的脱附。发射硅离子动能分布的测量表明，随着激光能量的增加，将相继出现一些新的特征峰，其强度随着激光能量密度的增加而增加。