低输出功率应用的E类CMOS功率放大器设计(英文)

摘要

利用标准的0.18μm6层金属混合信号/射频CMOS工艺设计了一种工作在2.4GHz频段的全集成E类功率放大器.电路采用两级放大器级联结构,其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号;输出级采用E类结构实现了信号的功率放大.在1.2V电源电压下,设计的功率放大器最高输出功率为8.8dBm,功率附加效率(PAE)达到44%.同时,提出了一种E类功率放大器功率控制方法.通过改变进入E类开关晶体管的信号幅度和占空比,在3位数字控制字的控制下,输出功率达到-3～8.8dBm.所设计的功率放大器可以满足诸如无线传感网络(WSN)和生物遥测等低功率系统的应用.