强磁场对Sn-3Ag-0.5Cu/Cu扩散偶界面金属间化合物生长的影响

摘要

研究了强磁场对Sn-3Ag-0.5Cu/Cu扩散偶界面金属间化合物生长的影响。结果表明:在强磁场作用下,Sn-3Ag-0.5Cu/Cu扩散偶在170℃时效过程中其界面金属间化合物的生长规律与无磁场作用时相同。但强磁场作用下界面金属间化合物的生长速率较无磁场作用时有所增加。通过比较正反向强磁场对界面金属间化合物生长的影响发现:正向强磁场作用下界面金属间化合物的生长速率大于反向强磁场作用下界面化合物的生长速率。