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苏树兵; 刘训春; 刘新宇; 于进勇; 王润梅; 徐安怀; 齐鸣;
中国科学院微电子研究所;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
自对准发射极; 磷化铟; 单异质结双极晶体管; T型发射极; U型发射极图形;
机译:完全自对准的微波InP / GaInAs单异质结双极晶体管
机译:具有0.1μm宽发射极的GaInAs / InP埋藏金属异质结双极晶体管的制造
机译:基于InP的AIInAs / GaAs_(0.51)Sb_(0.49)/ GaInAs单异质结双极晶体管,用于高速和RF无线应用
机译:使用GaInAs / InP单异质结双极晶体管的40 Gb / s应用的全差分接收器芯片组
机译:基于InP的NPN和PNP异质结双极晶体管的设计,技术和特性,可增强高频功率放大。
机译:多通道前庭假体采用脉率和电流调制并具有对准预补偿功能可改善猴子的VOR性能
机译:INP / INGAASSB / INGAAS双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造
机译:基于InP的异质结双极晶体管,在同一晶片上具有发射极-发射极和发射极-下降曲线
机译:InP衬底上的AlPSb / InP单异质结双极晶体管,用于高速,高功率应用
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