退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
舒永春; 姚江宏; 林耀望; 邢小东; 皮彪; 徐波; 王占国; 许京军;
南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;
中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室;
固态源分子束外延; 高电子迁移率; InP/InP外延材料;
机译:高电子迁移率InP由固体源分子束外延生长
机译:气体源分子束外延在InP衬底上生长的高电子迁移率lnAs_(0.8)Sb_(0.2)
机译:固体源分子束外延生长InP后调制掺杂GaAs的高电子迁移率
机译:GaAs衬底上变质InP / In / sub 0.5 / Al / sub 0.5 / As / In / sub 0.5 / Ga / sub 0.5 / As / InAsP高电子迁移率结构的气源MBE生长
机译:用于通过分子束外延生长的高电子迁移率晶体管的砷化铟/锑化铝材料的工艺模型。
机译:电子辐照通量对基于InP的高电子迁移率晶体管的影响
机译:CCl4掺杂的半绝缘Inp作为GaInas / Inp高电子迁移率晶体管中的缓冲层
机译:al / sub Y / Ga / sub Y / IN / sub 1-XY / as / INp和INGaas-INalas超晶格的mBE(分子束外延)生长和性质研究:1986年5月15日 - 8月1日的进展报告,1988
机译:用金属环转移InP高电子迁移率晶体管的夹断电压
机译:高沟道电导率和高击穿电压氮极高电子迁移率晶体管的异质外延生长方法
机译:高通道电导率和高击穿电压氮极高电子迁移率晶体管的外延生长方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。