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王吉霞; 黄桂芹; 陈广伟;
南京师范大学物理科学与技术学院;
江苏南京210046;
稀磁半导体; 薄膜; 电子结构; 几何结构;
机译:根据第一性原理计算的Mn掺杂GaN(1100)薄膜的磁行为
机译:Mn掺杂GaN中铁磁性的第一性原理研究
机译:Mn掺杂超薄ZnO纳米薄膜的第一性原理研究和电子结构
机译:通过第一性原理计算的Mn掺杂GaN(11̄00)薄膜的原子和电子结构
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:逐步和扭结的Ga端GaN表面水解的第一性原理研究
机译:Mn掺杂GaN薄膜中高转变温度铁磁性的研究
机译:mN掺杂GaN薄膜和p-I-N器件的磁性和光学性质
机译:MN掺杂的基于PZT的压电薄膜形成组合物和MN掺杂的基于PZT的压电薄膜
机译:Mn PZT Mn PZT MN掺杂的PZT压电薄膜形成成分和MN掺杂的PZT压电薄膜组成
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