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赵恒飞; 杨双波;
南京师范大学物理科学与技术学院;
GaAs量子阱; 入射光吸收系数; 温度; 掺杂浓度; 电子态结构;
机译:OMVPE生长的掺Delta GaAs / AlGAs多量子阱结构中的子带间吸收特性。
机译:在未掺杂的InGaAs / AIAsSb耦合双量子阱中通过硅离子注入同时产生子带间吸收和量子阱混合。
机译:通过在未掺杂的InGaAs / AlAsSb耦合的双量子阱中进行硅离子注入,实现子带间吸收,从而实现基于子带间跃迁的全光开关的单片集成
机译:通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱,改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集
机译:强倾斜磁场中级联GaAs / AlGaAs量子阱结构的Landau能级系统中的子带太赫兹跃迁
机译:电场对调制掺杂GaAs / AlGaAs耦合双量子阱中子带间拉曼激光增益的影响
机译:高磁场下重掺杂Gaas / alGaas单量子阱中强共振子带间磁极化效应
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:基于子带间吸收的多量子阱传感器的波长不敏感辐射耦合
机译:基于子带间吸收的多量子阱传感器的光敏辐射耦合
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