三硒化二铟纳米线的尺寸依赖性光电导研究

朱伟林; 张文昊; 钟子平; 廖良欣; 夏治洋; 李钦亮

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三硒化二铟纳米线的尺寸依赖性光电导研究

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利用气-液-固(VLS)生长机理合成出高质量的单晶三硒化二铟(IN2Se3)纳米线,所合成的IN2Se 3纳米线的直径分布在20~200 nm范围内,长度为几十微米.采用标准的微纳加工工艺,成功构建了基于单根IN2Se3纳米线的器件,其器件结构为电阻型结构.经过对一系列具有不同直径大小的IN2Se 3纳米器件的光电导性能研究,该类器件的光电导性能表现出明显的尺寸依赖性,为构建基于IN2Se3纳米线的高效光探测器提供了关键的实验和理论依据.

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来源
《江西师范大学学报：自然科学版》 |2019年第6期|582-586|共5页
作者
朱伟林; 张文昊; 钟子平; 廖良欣; 夏治洋; 李钦亮;
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作者单位

江西省微纳材料与传感器件重点实验室江西师范大学物理与通信电子学院;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
IN2Se; 3纳米线; 光电导; 尺寸效应;

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