GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）

崔晓然; 吕红亮; 李金伦; 苏向斌; 徐应强; 牛智川

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GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）

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采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移率为20500cm^2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm^2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.

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来源
《红外与毫米波学报》 |2018年第4期|385-388|共4页
作者
崔晓然; 吕红亮; 李金伦; 苏向斌; 徐应强; 牛智川;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院;

中国科学院半导体研究所超晶格实验室;

中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区导弹工程系;

西北大学光子学与光子技术研究所;

中国科学院大学材料科学与光电技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类肖特基势垒栅场效应器件;
关键词
二维电子气; 迁移率; 高电子迁移率晶体管(HEMT); 分子束外延(MBE);

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