a-Si/SiO_2多量子阱材料光致发光特性

摘要

近年来硅发光已成为理论和材料研究的一个新热点，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱材料就是人们研制出的一种新的量子结构．有关理论表明，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱中硅层（阱层）的电子和空穴都受到很强的量子限制效应，硅层能带有可能由体硅的间接带隙转变为准直接带隙，该量子阱材料有可能具有较强的光致发光特性．在７７Ｋ温度下实验，观察到ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱材料的光致发光，光致发光锋的半峰宽（ＦＷＨＭ）为１０ｎｍ．将其与同温度下的纳米硅薄膜的光致发光进行了对比，发现前者的光致发光峰的半峰宽较窄．