钆掺杂巨磁阻材料Sr_2FeMoO_6正电子湮没谱

摘要

采用固相反应法成功制备了钆掺杂样品Sr2-xGdxFeMoO6(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2).X射线衍射对样品的检测结果表明,在整个掺杂范围内样品单相性很好;利用正电子湮没技术对样品缺陷进行了研究,掺杂使微缺陷复合成大的空位团,导致缺陷尺寸变大;采用标准四引线法测量了样品电阻率随温度变化,反位缺陷、缺陷尺寸及GdFeO3和GdMoO3团簇是影响样品电阻率的重要因素.