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琚伟伟; 戴宪起; 王广涛;
河南师范大学物理与信息工程学院;
缺陷; 量子线; 结合能; 第一原理;
机译:低温(5 K)扫描隧道显微镜对针尖-表面相互作用和表面缺陷对Si(100)表面结构的影响
机译:5-7-5 As / Si(100)上的线缺陷:Ⅴ/Ⅳ表面的一般应力消除机理
机译:Si(111)和Si(100)表面缺陷对具有HfO_xN_y栅极电介质的MOS器件电学特性的影响比较
机译:用量子化学计算分析Si(100)表面Si(100)表面的蚀刻反应器结构
机译:Si(100)的光学二次谐波产生对过程定制表面和嵌入Ag纳米结构的研究,用于先进的Si非线性纳米运动
机译:Si(100):H表面上悬空键环中基于量子干涉的布尔门
机译:as si 100上的5 7 5线缺陷V IV表面的一般应力消除机制
机译:表面缺陷对si(100) - (2 x 1)氯化学吸附的影响
机译:减小在工件的表面“机械加工”中受影响的层白炭黑的厚度的方法。用于在硬化金属中加工工件的方法,用于减小热力学影响的层的厚度的设备在金属的“表面加工”中是温带的,用于软化由正在加工,硬化的金属工件加工而成的表面中的热机械负荷的有害缺陷的方法和设备。用于在硬化金属中加工工件
机译:表面缺陷检测装置,车身表面缺陷检查线和表面缺陷检测过程
机译:Si(100)衬底的表面制备方法
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