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Mg2Si/Si光电二极管的设计及性能研究

         

摘要

在Silvaco TCAD软件的Atlas器件模块上建立了Mg2Si/Si光电二极管模型,然后对Mg2Si/Si光电二极管的光学和电学性能进行仿真研究,主要计算了击穿电压、暗电流、正向导通电压、光谱响应、量子效率等光学和电学性能。仿真计算结果表明:Mg2Si/Si光电二极管的击穿电压为36V,最大反向工作电压18V,暗电流大小为1.4×10-13A,正向导通电压为0.53V,外量子效率最大值为52%,表现出较好的近红外吸收特性。仿真优化结果可以用于指导环境友好型Mg2Si/Si光电二极管的制备工作。

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