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郑郎; 余宏;
贵州师范学院物理与电子科学学院;
贵州贵阳550018;
Silvaco TCAD; Mg2Si/Si光电二极管; 光电性能;
机译:CSP技术制备的p-CuPc / c-Si和p-CuPc / a-Si / c-Si混合光电二极管的结构和电性能研究
机译:使用Si-p-i-n光电二极管的光电矩阵开关的设计和性能
机译:上微结构的多通旋转摩擦再分配和的冲击粘度的影响新鲜人-20si合金
机译:纳米结构的变化(Fe {sub} 0.5co {sub} 0.5){sub} 72b {sub} 20si {sub} 4nb {sub} 4退火上的金属玻璃
机译:极端单le di usion及其在NMDA受体离子通道MG2 +块的应用
机译:Pt / Si / Ag纳米线光电二极管及其光催化性能的异源性
机译:Al -20SI合金原位合成复合材料对增强相Mg2SI生长机制的研究
机译:Gaalas / Gaas辐射硬化双层的X射线响应:异质结构光电二极管与si:pIN光电二极管的比较
机译:制造MG2-SI和外部MG2(SI,E); (E = GE,SN,PB和过渡产品; MG2和硅的结晶以及通过脉冲等离子体合成的镁形式产品
机译:制备mg2 si和三元化合物mg2(si,b),(d = ge,sn,pb和 u00fcbergangsmetalle;小于10%)。脉冲等离子体合成从mgh2以及硅和镁硅化物形式的金属
机译:MG2 SI和三元化合物MG2(SI,E)的生产; (E = GE,SN,PB和过渡金属;含量小于10重量%)MGH2和硅制成,以及通过脉冲-等离子体合成法生产硅酸镁模压体
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