汞离子印迹聚合物修饰电极的制备及测试

摘要

cqvip:采用分子印迹技术,以邻苯二胺为单体、汞离子为模板,在铂电极表面原位聚合,制备了汞离子印迹聚合物修饰电极(Hg-PoPD-MIPs)。采用循环伏安法研究了汞离子在Hg-PoPD-MIPs上的电化学行为。结果显示,汞离子在0.2～1.0μg/L的浓度范围内与峰电流值呈良好的线性关系,其回归线性方程为I_(p )=-4.455c+8.5398,线性相关参数R^2=0.9994,检出限为6.759×10^(-10 )mol/L(S/N=3),该修饰电极可以用于水体中汞离子的检测。