4NiO-B2O3-V2O5低温烧结微波介质陶瓷的烧结特性、相结构和微波介电性能研究

摘要

以分析纯的B2 O3、V2 O5和NiO为原料,采用传统的固相反应法制备了4NiO-B2 O3-V2 O5微波介质陶瓷.利用SEM、XRD和微波网络分析仪分别对材料的烧结行为、微观结构、相变特性和微波介电性能进行了系统的研究.结果表明,4NiO-B2 O3-V2 O5陶瓷为复相结构.当烧结温度由575℃升高至675℃时,样品的体积密度、品质因素(Q×f)和谐振频率温度系数(τf)值呈现出先增大后减小的趋势,εr一直减小.当烧结温度为650℃时,陶瓷具有最佳的微波介电性能:Q×f=19692 GHz,εr=4.9,τf=-20×10-6/℃.低的烧结温度、优异的微波介电性能表明4NiO-B2 O3-V2 O5陶瓷可以作为滤波器、谐振器等微波器件的备选材料.