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高速电路设计与库模型应用的研究

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摘要

通过对TSMC 0.18(m CMOS工艺库模型的分析,电路仿真结果比较以及实际限幅放大器电路流片测试结果的验证比较,提出在深亚微米工艺中,大信号高速电路的设计适宜选用混合信号管进行.

著录项

来源
《电路与系统学报》 |2005年第4期|125-127,94|共4页
作者
冯军; 金杰;
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作者单位

东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;

东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
库模型; RF管; MM管; 高速电路;

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