模式可配置的NAND Flash纠错系统设计与实现

摘要

针对NAND flash存储器设计一种模式可配置的纠错系统的电路结构,该结构可以预防错误位数大于设计纠错位数的情况发生.提出一种高速并行BCH编译码的电路设计方法,并导出一种无需有限域求逆运算的BM迭代算法的硬件实现方法.通过复用编码算法电路与译码算法电路,同时结合流水线技术与乒乓操作技术,实现以较小的硬件资源开销提高纠错系统性能.该纠错系统电路在EP4CE15E22C8系列FPGA芯片上实现,并进行测试分析.测试结果表明:在相同的系统工作频率下,该纠错系统电路的数据吞吐率是传统串行纠错电路的8倍,而硬件资源开销只增加l倍；与传统的NAND flash纠错电路相比,该纠错电路结构相对独立,可移植性强,可满足多种应用场合的需要.