980nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

徐遵图; 徐俊英

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利用分子束外延技术研制出高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激光器的阈值电流密度低达１４０Ａ／ｃｍ＾２脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８Ｗ／Ａ，线性输出功率大于１２０ｍＷ，基横模输出功率可达１００ｍＷ。ＩｎＧａＡｓ应变量子阱激光器和单模光纤进行耦合，其

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来源
《北京工业大学学报》 |1996年第4期|48-54|共7页
作者
徐遵图; 徐俊英;
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作者单位

北京工业大学和北京市光电子实验室;

北京工业大学和北京市光电子实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体激光器;
关键词
应变层; 量子阱; 半导体激光器; 泵浦源; 光纤放大器;

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