用质子激发X射线发射分析技术测量晶片表面的污染物

摘要

介绍了PIXE(质子激发X射线发射 )分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限 .用此分析技术 ,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定 .发现在有的注入机上注氧时带进了Cr,Mn ,Fe ,Cu等污染元素 .结果表明 ,PIXE分析技术具有高灵敏、非破坏性等优点 ,十分适合在这一领域的研究中应用 .