首页> 中文期刊> 《北京师范大学学报：自然科学版》 >离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱

离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N^+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.

著录项

来源
《北京师范大学学报：自然科学版》 |1988年第2期|47-50|共4页
作者
冯建东; 林振金; 杨锡震; 刘玉梁; 王世润; 田德恒;
展开▼
作者单位

北京师范大学物理系;

山西省教育学院物理系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
光致发光; 离子注入; X射线衍射; 快速退火;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. In-2N高共掺浓度和择优取向对ZnO最小光学带隙和吸收光谱的影响∗ [J] . 侯清玉 ,李文材 ,赵春旺 . 物理学报 . 2015,第006期
2. 用紫外-可见光谱仪研究玻璃基掺氮二氧化钛薄膜的沉积速率和光学带隙 [J] . 赵青南 ,张君 ,李春领 . 分析仪器 . 2003,第004期
3. N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究 [J] . 张小东 ,李公平 ,张利民 . 核技术 . 2006,第011期
4. 离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究 [J] . 张小东 ,林德旭 ,李公平 . 物理学报 . 2006,第010期
5. 激光诱导击穿光谱测量重掺硅中的氧含量 [J] . 季振国 ,席俊华 ,毛启楠 . 无机材料学报 . 2010,第008期
6. 硅中硫和磷元素重掺杂引发的子带隙红外光吸收特征对比 [C] . Xiao Cui ,崔晓 ,Yongguang Huang . 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 . 2012
7. 离子注入诱导无序及无杂质空位扩散方法改变InGaAsP/InP多量子阱材料带隙的研究 [A] . 杨格丹 . 2004

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号