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超晶格中单极电场畴形成和输运过程的数值模拟

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摘要

对于弱耦合掺杂GaAs/AlAs超晶格 ,采用分立漂移模型 ,数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畴形成的动态行为和物理机制 ,并分析了弱耦合掺杂超晶格的电流自激振荡现象 .

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来源
《北京师范大学学报：自然科学版》 |2001年第5期|619-622|共4页
作者
张启义; 田强;
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作者单位

北京师范大学物理学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类固体理论;
关键词
电场畸形; 电流自激振荡; 数值模拟; 超晶格; 输运过程;

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