强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V和I-V特性曲线的影响

杨志安; 靳涛; 杨祖慎; 姚育娟; 罗尹虹; 戴慧莹

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利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了C-V曲线和I-V曲线.实验发现,经过强脉冲X射线对 Si-SiO2界面进行的辐照,使C-V曲线产生了正向漂移,这一点与低剂量率辐射结果不同;辐射后,感生I-V曲线产生畸变;特别地,从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性参数明显退化,最后甚至失效.讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理,并对实验结果进行了解释.

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来源
《强激光与粒子束》 |2002年第2期|302-306|共5页
作者
杨志安; 靳涛; 杨祖慎; 姚育娟; 罗尹虹; 戴慧莹;
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作者单位

济南大学,理学院,山东,济南,250022;

中国科学院,新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

新疆大学,物理系,新疆,乌鲁木齐,830046;

西北核技术所,陕西,西安,710024;

西北核技术所,陕西,西安,710024;

空军工程大学,电信通信学院,陕西,西安,710077;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 X射线;
关键词
X射线; Si-SiO2界面; 辐射损伤;

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