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宿世臣; 胡灿栋; 牛犇;
华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;
东北石油大学华瑞学院,黑龙江,哈尔滨,150027;
ZnO; Si; 光致发光;
机译:在SiO_2 / Si(100)衬底上湿化学生长的类花ZnO薄膜纳米结构的结构,光学和光电导特性
机译:Si(111)衬底上BaSi_2外延膜的晶体和光学特性评估以及在玻璃衬底上的发展
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:Si(100)衬底上的半极性r平面ZnO薄膜:薄膜外延和光学性质
机译:在Si(111)和Mg2Si / Si(111)衬底上生长的Ca2Si膜的生长,光学和电学性质
机译:通过离子束沉积将外延siC层生长到轴上和轴外6H-siC衬底上。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:氮化物中间层在Si基衬底上单晶ZnO薄膜生长的方法。
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
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