共晶硅变质机理研究进展

摘要

随着对共晶Si变质机理的深入研究,相继发现了一些新的证据,提出了一些新的假说.共晶Si的变质机理主要存在两种:形核理论和生长理论."小面-非小面转变说"的核心是Si相的形核受到抑制,而"毒化"机制、Zigzag孪晶生长模型及杂质诱发孪晶机制揭示了变质时共晶Si晶体的生长行为.文中对共晶Si的变质机理研究进展进行了综述.