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王超; 周建伟; 王辰伟; 张雪;
河北工业大学电子信息工程学院 天津 300130;
天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;
钌; 化学机械抛光; 过硫酸钾; 去除速率; 表面粗糙度;
机译:钾碘酸钾和钾过硫酸钾的增效作用提高化学机械抛光过程中钌的去除率
机译:通过使用胍碳酸盐和1,2,4-三唑来控制CMP期间钌在CMP期间去除率选择性
机译:具有二氧化硅磨料颗粒的ILD CMP:CMP垫的孔径对去除速率分布的影响
机译:垫表面形态和力学性能对CMP材料去除速率的作用
机译:考虑去除材料协同作用的铜化学机械平面化(CMP)的物理化学建模。
机译:衣藻中与光系统II相关的Cah3通过去除质子来提高O2释放速率
机译:H2O2 / UV氧化法去除活性染料溶液中的颜色去除UV / H2O2氧化法去除活性染料溶液中的颜色
机译:簇催化的光活化:四羰基(三苯基膦)钌和1,1,1,2,2,2,3,3-非羰基-1,2,3-三(三苯基膦)的1-戊烯异构化比较 - Triangulo-三钌。
机译:用于钌CMP的浆液,使用该浆液的CMP方法以及使用该钌CMP形成钌电极的方法
机译:预测CMP工艺工具中CMP工艺的CMP去除速率以确定所需抛光时间的方法
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