集成电路铜膜化学机械抛光台阶高度修正能力的研究

摘要

为了有效提高集成电路铜布线层铜膜在化学机械抛光(CMP)过程中的台阶高度修正能力,在由胶体二氧化硅(平均粒径为100 nm)0.5％(质量分数)、甘氨酸2％(质量分数)和FAOA非离子表面活性剂5mL/L组成的基础碱性抛光液(pH=8.5)中加入不同质量分数的H2O2和1,2,4-三氮唑(TAZ).研究了H2O2和TAZ的配比对铜膜CMP台阶高度修正能力的影响.结果表明,H2O2过量时,不仅不利于提高铜膜表面台阶高度修正能力,反而会起到反作用.适当增大TAZ的用量则对台阶高度的修正能力有积极的效果.含0.3％H2O2和0.003％TAZ的抛光液对铜膜表面台阶高度的修正能力高达1186?,效果最佳.