厚膜组装VDMOS在功率循环下的失效特征和机理

摘要

cqvip:该文以厚膜组装VDMOS为对象进行功率循环试验,采用X射线、切金相剖面分析和热阻分析等方法对试验后样品进行了对比。分析厚膜组装各封装界面随时间的退化的特征,并分析了其退化机理。其次利用有限元分析法计算模块中各部分温度分布情况,最后结合Coffin-Manson关系外推不同温度变化条件下的循环次数。