光刻机镜头漏光对光刻工艺的影响

摘要

通过GaAs单片微波集成电路(MMIC)光刻工艺,试验得到不同掩模版透光区占空比下光刻机镜头的漏光率,分析了漏光率对曝光能量宽裕度以及光刻胶形状的影响。通过试验测量得出,掩模版透光区占空比的增加会导致曝光镜头的漏光率升高,进一步使得光刻工艺的能量宽裕度变小。同时,过高的漏光率会造成显影后图形的光刻胶损失,使光刻胶图形的对比度变差,从而严重影响GaAs MMIC光刻工艺的图形质量,造成器件性能退化,降低产品良率。