L、S波段超宽带GaN功率放大器设计与实现

摘要

本文基于0.25μm GaN HEMT工艺技术,设计并实现了一款可应用于L波段和S波段的超宽带GaN高效率大功率放大器芯片。该功率放大器芯片采用末级八胞功率合成实现高效率、大功率,采用两级级联放大实现功率增益,采用多支节电抗匹配网络实现低损耗、超宽带匹配。利用电路仿真软件进行芯片电路整体电学参数优化和电磁场仿真,并进行了流片制作,芯片尺寸为4.60mm×3.40mm×0.08mm。采用微波在片测试系统进行微波测试,测试结果表明,该功放芯片在1.2-3.5GHz频率范围内,脉冲饱和输出功率大于25W,功率附加效率大于40%,功率增益大于26dB,满足实际工程应用的需求。