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窦丙飞; 严继进; 吴贻伟; 吕春明;
华东电子工程研究所 安徽省合肥市230088;
微波技术; GaN器件; T/R组件;
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:以这种方式使用的功率器件Infinion的C7 Gold通过第31个Si MOSFET获得了与GaN相当的高性能
机译:使用传统Si的新材料“ SiC”和“ GaN”推出高性能产品,以扩大功率半导体器件市场,积极开发产品。
机译:基于GaN的功率器件结构空缺型缺陷 - ION植入GaN的缺陷表征GaN和Al 2 INF> O 3 INF> / GAN -
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:基于GaN组件基础的宽带推挽功率放大器设计方法,用于高性能非线性结检测器
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:基于GaN功率器件的GaN电池充电器体系结构
机译:在硅衬底上生长GaN晶体的方法,制造基于GaN的发光器件的方法和基于GaN的发光器件
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