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赵凤瑷;
国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心;
北京市102208;
稀磁半导体; 多铁异质结构; 磁性调控; 离子注入;
机译:非磁性半导体/稀磁性半导体异质结构中Bruno-Gnanasekar-Karunakaran-Chandramohan观测的验证
机译:稀释的磁性半导体/半导体异质结构中的磁性量子点
机译:GaN基铁磁性/非磁性半导体异质结构的磁性,光学和传输性质
机译:超快磁性半导体异质结构中的超快染色铁磁性阶
机译:使用稀释的磁性半导体对II-VI半导体外延层及其异质结构进行磁光研究。
机译:半导体石墨烯和石墨烯的最新进展半导体-铁电/铁磁纳米异质结构高效制氢和环境修复
机译:磁性氧化物材料的结构,磁性和输运性质以及磁性氧化物/半导体(ZnO)异质结构的探索
机译:半导体和磁性材料的生物分子识别组装纳米粒子异质结构。
机译:制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译:用于半导体异质结构的能量分析方法,性能预测方法和具有半导体异质结构的半导体器件的设计方法
机译:半导体异质结构的能量分析方法,具有半导体异质结构的半导体装置的性能评估方法及其设计方法
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