高温下硅微通道阵列孔道应变的ABAQUS有限元模拟

摘要

硅微通道阵列经高温氧化过程会产生不规则的形变,是高温环境下产生的热应力所致。本文通过建立ABAQUS有限元的模拟程序,对高温氧化过程中硅微通道阵列的单一孔道应变情况进行模拟仿真,并计算出不同温度下硅微通道阵列单一孔道的内角与外角的角度大小。模拟结果表明,硅微通道阵列经高温氧化过程,在1100℃时,内角角度为89.35°,外角角度为270.17°,不同温度下内角与外角之和小于360°,孔道壁凹陷,孔道夹角处凸起。