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徐文凯; 朱俊杰; 聂子玲; 韩一; 孙军;
海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室;
湖北武汉430033;
全碳化硅功率模块; 双脉冲测试; 开关瞬态特性; 开关损耗;
机译:带有碳化硅开关的功率模块:SiC JFET降低了开关损耗
机译:硬开关全Si,Si-SiC和全SiC器件组合在开关损耗和EMI产生之间权衡的实验研究
机译:使用全碳化硅功率模块ROHM的不间断电源的原型,Enegate,关西电力公司成功
机译:1700 V全SiC半桥功率模块,具有低开关损耗
机译:碳化硅晶闸管功率模块的包装
机译:使用具有Ge2Sb2Se4Te1相变材料的三波导耦合器的非易失性和超低损耗可重构模式(De)多路复用器/开关
机译:用于多芯片功率模块的碳化硅mOsFET的并联连接
机译:集成用于冷却硅和碳化硅功率模块的散热模块
机译:用于使机动车的功率模块的开关桥的半导体开关的开关损耗最小的方法,控制装置,功率模块和机动车
机译:高电流,低开关损耗的SiC功率模块
机译:高电流,低开关损耗SiC功率模块
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