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孙子茭; 钟志亲; 王姝娅; 戴丽萍; 张国俊;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
SiC; 欧姆接触; 快速热退火; 肖特基势垒;
机译:退火温度对Ni / V / 4H-SiC结构接触性能的影响
机译:降低退火温度对n型和p型4H-SiC的Ni / Al欧姆接触的影响
机译:激光热退火在半绝缘4H-SiC衬底上制备欧姆接触
机译:退火温度对P型4H-SiC衬底上Al接触的电参数和结构的影响
机译:利用电子顺磁共振和光电子顺磁共振研究半绝缘4H-SiC中的缺陷能级
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:退火温度对Ni / V / 4H-siC结构接触性能的影响
机译:不同老化热处理 - 退火 - 退火和老化热处理对1,400°F温度下的拉伸,蠕变和应力 - 破裂强度的影响
机译:接触式温度计,其温度受源气体或接触状态的空气量影响,从而影响温度,可调节的
机译:4H-SiC形成4H-SiC基板半导体的欧姆接触及其制造方法
机译:用于燃气轮机的温度传感器,具有热电偶,该热电偶具有两个通过陶瓷热喷涂形成的导电半元件,而塞贝克系数不同并且在接触点处相互连接
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