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冯小东; 蹇胜勇; 刘相果;
中国电子科技集团公司第26研究所;
Pb(Zn1; 3Nb2; 3)O3-Pb(Ni1; 3; Nb2; 3); O3-Pb; (ZrTi); O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷; 高介电常数; 高压电常数;
机译:A位取代Bi_3TiNbO_9基高温压电陶瓷的结构畸变,压电性能和电阻率
机译:在A位K / Ce和B位W / Cr共取代的CaBi_2Nb_2O_9高温压电陶瓷中增强的电性能
机译:压电性能对Nd和V共取代的Bi_4Ti_3O_12陶瓷谐振器应用的压电性能的影响
机译:铅含量和B位取代对PZT陶瓷介电和压电性能的影响
机译:稀土金属取代基对锆钛酸铅-铅(锑,锰)O(3)陶瓷的高功率压电性能的影响。
机译:无铅(Ka0.5Na0.5)NbO3和BiFeO3基压电陶瓷的铁电畴结构和局部压电性能
机译:铁镍取代对pZT型陶瓷压电性能的影响
机译:24c-位(a)阳离子取代对Li7-xLa3-xaxZr2O12石榴石基陶瓷电解质中四方相变的影响。
机译:PZN-PNN-PZT压电陶瓷的PZN-PNN-PZT制造方法及其压电陶瓷
机译:PZN-PNN-PZT压电陶瓷的PZN-PNN-PZT制造方法
机译:取向晶体化压电陶瓷的制造方法,改善晶体取向压电陶瓷的压电性能,改进压电特性的压电陶瓷
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