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张元松; 王五松; 褚涛; 陈炳; 戴昭波;
中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司;
贵州航天计量测试技术研究所;
贵州振华红云电子有限公司;
五元系压电陶瓷; Zr/Ti比; Sr掺杂; 介电性能; 压电性能; 介电弛豫特性;
机译:掺杂剂(A = Mg2 +,Ca2 +和Sr2 +)对(Ba(1-x)A(x))(Ti0.98Zr0.02)O-3无铅压电陶瓷的铁电,介电和压电性能的影响
机译:稀土掺杂对Pb_(0.88)Sr_(0.12)(Zr_(0.54)Ti_(0.44)Sb_(0.02))_(1-y)-(Zn_(1/3)Nb_()的压电和铁电性能的影响2/3))_ yO_3陶瓷
机译:Sr掺杂对Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Zr,Ti)O_3陶瓷压电性能的影响
机译:Sr掺杂对Pb压电性能的影响(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PB(Zr,Ti)O_3陶瓷
机译:压电瘤应用Pb(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜对缩放效应对缩放效应的影响
机译:通过优化烧结温度实现无铅0.98(Na0.5K0.5)NbO3-0.02Ba(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷的电性能
机译:CuO掺杂对Bi0.5Na0.5TiO3-Ba(Zr,Ti)O3无铅陶瓷介电和压电性能的影响
机译:Yb对pb(Zr,Ti)O3-pb(mn,Nb)O3烧结行为及高功率压电性能的影响
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3膜,可用于铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器
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