SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器温度特性研究

摘要

通过模型构建、数值计算和软件模拟,对绝缘衬底上的硅(SOI)基栅控横向P-I-N(通用结构)蓝紫光探测器在-25～75℃的电流-电压(I-V)特性进行研究。构建温度对栅极电压影响的解析模型,通过数值计算与软件模拟,验证模型的有效性。利用SILVACO软件中的ATLAS模块对不同温度下的沟道表面电子浓度、光电流、暗电流、信噪比(SNR)等特性进行模拟仿真。结果表明,沟道表面电子浓度和暗电流随温度的升高而增大,温度对光电流的影响不明显,信噪比随温度的升高而减小,在温度T=-25℃,栅极电压为1.44V时,SNR达到最大值6.11×10~5;在T=75℃,栅极电压为2V时,SNR达到最小值为1.064×10~3。