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MZOS结构界面特性的研究

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摘要

分析了MZOS结构及其Si—SiO_2子系统的C-V特性,发现ZnO中的氧空位和溅射工艺过程在Si—SiO_2界面引入的界面电荷是影响MZOS结构界面特性的主要因素.研究还表明,低温热退火可以改善MZOS结构的界面特性.

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来源
《压电与声光》 |1993年第6期|49-52|共5页
作者
曹广军; 刘光廷; 周子新; 杨龙其;
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作者单位

华中理工大学固体电子学系;

东南大学电子工程系;

四川压电与声光技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类声光器件;
关键词
MZOS结构; 界面特性; 氧化锌薄膜;

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