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郝慧娟; 张玉林; 宋会英;
山东大学控制科学与工程学院电子束研究所;
电子束; 反差; Monte; Carlo模拟;
机译:新型电子束光刻抗蚀剂SML的表征及其与PMMA和ZEP抗蚀剂的比较
机译:电子束直径,电子能量,抗蚀剂厚度和抗蚀剂类型的依赖关系,通过使用蒙特卡洛模拟在EB光刻中形成纳米点阵。
机译:电子束光刻中正性化学放大抗蚀剂的抗蚀剂轮廓模拟的一些特殊性
机译:使用单次或多种开发步骤的电子束光刻抗蚀剂抗蚀剂抗蚀剂抗蚀剂的过程优化,使用氢氧化钠或金属离子防渗
机译:聚合物抗蚀剂的电子束感应电导率效应和电子束光刻中的电荷感应电子束偏转模拟。
机译:CUO / PMMA聚合物纳米复合材料作为电子束光刻的新型抗蚀剂材料
机译:干开采的电子束抗蚀剂。氨基结合聚(α-甲基苯乙烯)的合成和抗蚀性评价。
机译:直接写入过渡金属氟化物抗蚀剂电子束图案产生的磁性纳米结构
机译:正电子束抗蚀剂和使用该抗蚀剂形成抗蚀剂图案的方法
机译:用于电子束光刻的抗蚀剂和用于电子束光刻的显影抗蚀剂的方法
机译:电子束光刻技术的抗蚀剂,以及形成电子束光刻技术的抗蚀剂的方法
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